13286885940 (王先生)
13262995105(吳先生)
13916985299 (姚小姐)
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,行業(yè)整合步伐加速。作為電力控制/節(jié)能減排核心半導(dǎo)體器件,功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于從家電、消費(fèi)電子到新能源汽車、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整合步伐急速提升,新能源全產(chǎn)業(yè)鏈勢(shì)頭正旺,IGBT等高 端器件迎來(lái)需求爆發(fā)期。
直播時(shí)間:2021.6.23 上午10:00
影響IGBT模塊可靠性和穩(wěn)定性因素眾多,包括芯片位置的確定、不同材料的熱膨脹系數(shù)及其持性、回流爐回流曲線及其他參數(shù)的設(shè)置等,要能大批量地生產(chǎn)出可靠性、穩(wěn)定性高的IGBT模塊,需要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期研發(fā)試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累,才能了解器件和材料特性,掌握生產(chǎn)工藝、找到較為合適的方案。本期直播ITECH技術(shù)專家將結(jié)合實(shí)際案例,與您分享:IGBT的參數(shù)測(cè)試、模塊功率循環(huán)試驗(yàn)、雙脈沖測(cè)試、智能電源開(kāi)關(guān)IPS老化等一系列測(cè)試解決方案。
直播大綱
1.功率半導(dǎo)體器件發(fā)展歷史
功率半導(dǎo)體器件:二極管? 晶閘管? 硅基MOSFET ? 硅基IGBT。
2.結(jié)合ICE標(biāo)準(zhǔn)解析IGBT測(cè)試案例
案例1:IGBT單元的參數(shù)測(cè)試
案例2:IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)——目前*有效的IGBT模塊壽命評(píng)估的實(shí)驗(yàn)依據(jù)
案例3:電動(dòng)汽車IGBT模塊的雙脈沖測(cè)試
案例4:智能電源開(kāi)關(guān)IPS老化測(cè)試(IPS由MOSFET或IGBT組成)
3.IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展
IGBT的應(yīng)用場(chǎng)景和應(yīng)用領(lǐng)域主要依靠斷態(tài)電壓來(lái)區(qū)分,IGBT工作電壓范圍在650V至6500V之間,應(yīng)用于工業(yè)、新能源汽車家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域。
4.互動(dòng)答疑與抽 獎(jiǎng)
預(yù)約好禮:前十名預(yù)約并參會(huì)的觀眾,將獲得電子游標(biāo)卡尺一份。
互動(dòng)抽 獎(jiǎng):直播過(guò)程中,進(jìn)行三次隨機(jī)抽 獎(jiǎng),在線觀眾將有機(jī)會(huì)獲得:京東電子卡、雙肩背包、工具組合等多重驚喜。
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